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电迁移效应

2019年10月14日 11点19分

电迁移(英语:Electromigration)是由于通电导体内的电子运动,把它们的动能传递给导体的金属离子,使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移,导致导体的原子扩散、损失的一种现象。电迁移是金属线在电流和温度作用下产生的金属迁移现象,它可能使金属线断裂,从而影响芯片的正常工作。电迁移在高电流密度和高频率变化的连线上比较容易产生,如电源、时钟线等。为了避免电迁移效应,可以增加连线的宽度,以保证通过连线的电流密度小于一个确定的值。电源网格中的大电流也会引起电迁移(EMI)效应,在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成代价不菲的现场故障和严重的产品可靠性问题。

电迁移(EM)是一种分子位移,是由于导电电子和离子在一段时间内的动量转移而引起的。当电流密度较高时会发生这种现象,这会导致金属离子向电子流方向漂移。·EM通常发生在现场设备部署多年之后。由于电迁移效应,金属线可能会爆裂并短路。EM会增加导线电阻,这会导致电压下降,从而导致设备降速。由于短路或开路,它还可能导致电路永久性故障。

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